質譜測定中的記憶效應表現為一次涂樣測定的結果受到殘存在離子源內測定過的同種樣品的影響，當前后樣品的待測同位素豐度相差越大時，記憶效應帶來的影響也越大。在熱電離質譜測定中，記憶效應主要由石墨烯表面吸附和樣品沉積兩種因素引起。有些活性強的化合物的蒸氣與離子源內表面接觸時會被吸附，吸附量的多少除了與化合物的性質有關外，還與離子源內表面的材料及光潔度有關。
當長期工作以后，樣品蒸氣在離子源內表面的沉積會越來越多，特別是在源的出口縫及離子光學透鏡的狹縫處，如果在高溫下工作，沉積在離子源內表面的樣品會受熱再次蒸發而被電離，影響測定結果的準確性。另外一種情況，雖然測定的元素與離子源已沉積的元素不一樣，但它們是同質異位素，這樣離子源內表面的沉積也會對測定結果帶來影響。記憶效應的強弱與所采用的樣品化合物的形式有關，如進行鋰同位素測定時，采用不同鋰化合物凃樣，定量測定的記憶的鋰量相差很大，其中以LiF的記憶效應最強。
