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新加坡國(guó)立大學(xué)Palani Balaya,哈爾濱工業(yè)大學(xué)Hsu-Sheng Tsai等--有優(yōu)異鋰離子存儲(chǔ)性能的3D VS2/還原氧化石墨烯的原位組裝:異質(zhì)結(jié)的作用
       VS2以其優(yōu)越的性能成為鋰離子電池極具潛力的負(fù)極材料。本文通過(guò)在還原氧化石墨烯(rGO)上原位組裝毛毛蟲狀的VS2納米片,制備了一種新的三維(3D) VS2/還原氧化石墨烯(rGO)異質(zhì)結(jié)構(gòu)(VS2-rGO)。這種3D VS2- rgo具有明確定義的異質(zhì)結(jié)界面,旨在減輕Li +插入/脫插周期中VS2的體積膨脹。這種優(yōu)化的設(shè)計(jì)提高了異質(zhì)結(jié)的導(dǎo)電性,促進(jìn)了電子和離子的高效傳輸。與純VS2電極相比,VS2電極具有更高的可逆容量和更好的倍率性能(循環(huán)140次后,在0.1 A g−1下,644.02 mA h g−1,在2 A g−1下,526.66 mA h g−1)(循環(huán)140次后,在0.1 A g−1下,433.69 mA h g−1,2 A g−1下,63.91 mA h g−1)。非原位XRD分析表明,在VS2-rGO電極中Li +的儲(chǔ)存機(jī)制包括初始嵌入、隨后的嵌入和轉(zhuǎn)化。根據(jù)第一性原理計(jì)算,與VS2層(0.225 eV)相比,VS2- rgo異質(zhì)結(jié)中的Li +擴(kuò)散勢(shì)壘(0.183 eV)較低,從而增強(qiáng)了VS2- rgo電極材料的Li +輸運(yùn)動(dòng)力學(xué)和循環(huán)性能。這項(xiàng)工作為異質(zhì)結(jié)對(duì)lib的影響提供了新的視角。
 

圖 1. VS2-rGO異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備工藝示意圖。
 
 
圖 2. (a) x射線衍射圖,(b)拉曼光譜,(c) N2吸附-解吸等溫線,(d) VS2和VS2- rgo的熱重分析,(e) VS2和VS2- rgo的XPS測(cè)量光譜(f) VS2的v2p XPS光譜,(g) v2p, (h) s2p, (i) VS2- rgo的c1s XPS光譜。
 
 
圖3. (a) VS2的SEM圖像,(b-c) SEM圖像,(d-e) TEM圖像,(f) VS2- rgo的HRTEM圖像,(g) VS2的SEM圖像及相應(yīng)的EDS元素映射:(h) V元素,(i) S元素。

 
圖 4. (a) VS2曲線和VS2-rGO在第二個(gè)周期的掃描速率0.1 mV s−1,(b)的奈奎斯特圖VS2和VS2-rGO電極循環(huán)(插圖顯示了高頻地區(qū)擴(kuò)大光譜和VS2的等效電路模型和VS2-rGO電極),(c)循環(huán)穩(wěn)定和CE VS2, VS2-rGO rGO電極在0.1 g−1,(d)的性能測(cè)試在不同的電流密度,從0.1到2 g−1電極,(e)電極在1a g−1下的持久循環(huán)行為。
 
 
圖 5. (a) VS2-rGO電極在第二周期掃描速率范圍內(nèi)的CV曲線,(b)不同氧化還原條件下峰值電流與掃描速率的擬合線和對(duì)數(shù)圖,(c)突出顯示區(qū)域內(nèi)1mv s−1時(shí)的假電容份額,(d)在不同掃描速率下VS2-rGO電極的假電容和擴(kuò)散驅(qū)動(dòng)貢獻(xiàn)的比較概述。
 
  
圖 6. (a) VS2-rGO陽(yáng)極、Li3V2(PO4)3/C陰極和VS2-rGO//Li3V2(PO4)3/C充放電曲線,(b)不同電流密度下VS2-rGO//Li3V2(PO4)3/C充放電曲線,(C) 0.1 a g−1電流密度下VS2-rGO//Li3V2(PO4)3/C充放電電池的循環(huán)穩(wěn)定性和CE, (d) 0.05 ~ 0.5 a g−1電流密度下VS2-rGO//Li3V2(PO4)3/C充放電電池的倍率性能。
 
  
圖7. (a) VS2-rGO電極在0.1 mA g−1下的恒流充放電曲線,(b) VS2-rGO電極在不同階段的非原位XRD譜圖,(c) VS2-rGO電極中Li+的儲(chǔ)存機(jī)理示意圖。
 
  
圖8。Li +在(a) VS2-rGO和(b) VS2-VS2界面處的吸附位點(diǎn),(c) VS2-rGO和(d) VS2-VS2雙層的俯視圖,Li+在(e) VS2-rGO和(f) VS2-VS2界面處的遷移路徑,(g)Li+在VS2-rGO和VS2-VS2界面處擴(kuò)散的能壘。
  
      相關(guān)科研成果由新加坡國(guó)立大學(xué)Palani Balaya,哈爾濱工業(yè)大學(xué)Hsu-Sheng Tsai等人于2024年發(fā)表在Journal of Power Sources(https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2024.235296)上。原文:In-situ assembly of 3D VS2/Reduced graphene oxide with superior lithium ion storage performance: The role of heterojunction
原文鏈接:https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2024.235296

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